INFINEON, FF200R12KT3HOSA1

IGBT Module, Dual, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF200R12KT3HOSA1
  • Order Code2726124

15 138 руб.

15 138 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 15 138 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

15 138 

5+

14 495 

10+

13 908 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:295A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:1.05kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transis

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current295A
  • Continuous Collector Current295A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Power Dissipation Pd1.05kW
  • Power Dissipation1.05kW
  • Operating Temperature Max125°C
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range62mm C
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module