Модули IGBT STARPOWER GD300HFX65C2S
IGBT Module, Half Bridge, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSTARPOWER
- Manufacturer Part NoGD300HFX65C2S
- Order Code3549248
17 868 руб.
17 868 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу
Количество
Итого
17 868 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Оставить запрос
Количество:
Цена:
1+
17 868 ₽
5+
17 253 ₽
10+
15 932 ₽
50+
15 735 ₽
Обзор продукта
IGBT Module, Half Bridge, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module — компонент от STARPOWER (арт. GD300HFX65C2S) для профессионального применения в промышленных и специализированных системах. Категория: Модули IGBT. Области применения: промышленная автоматика, приборостроение, специализированное оборудование. Технические характеристики: IGBT Configuration: Half Bridge; ток коллектора: 343A; DC Collector Current: 343A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.45V; Collector Emitter Saturation Voltage: 1.45V; рассеиваемая мощность: 819W; Power Dissipation Pd: 819W; Junction Temperature Tj Max: 150°C. Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра Delasia Electro.
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Continuous Collector Current343A
- DC Collector Current343A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
- Power Dissipation819W
- Power Dissipation Pd819W
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max650V
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
- IGBT TechnologyTrench Field Stop
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised