INFINEON, FF200R12KE3HOSA1

IGBT Module, Dual, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF200R12KE3HOSA1
  • Order Code2726122

15 691 руб.

15 691 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 15 691 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

15 691 

5+

15 192 

10+

14 693 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:295A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:1.05kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transis

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityN Channel
  • IGBT ConfigurationDual
  • Continuous Collector Current295A
  • DC Collector Current295A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Power Dissipation1.05kW
  • Power Dissipation Pd1.05kW
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Operating Temperature Max125°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module