FF450R12ME4B11BPSA1 модули igbt INFINEON

IGBT Module, Dual, 675 A, 1.75 V, 2.25 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
INFINEON
Manufacturer Part NoFF450R12ME4B11BPSA1
Order Code2781231

36 933 руб.

36 933 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 36 933 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

36 933 ₽

35 364 ₽

10+

33 931 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:675A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:2.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transi

Техническая спецификация

IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current675A
Continuous Collector Current675A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd2.25kW
Power Dissipation2.25kW
Junction Temperature Tj Max150°C

Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoDUAL 3
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

FF450R12ME4B11BPSA1 модули igbt INFINEON

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 675 A, 1.75 V, 2.25 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Module

IGBT MODULE, 600V, 75A

IGBT Module, Single, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 50 A, 1.85 V, 285 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 50 A, 1.5 V, 175 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 247 A, 1.45 V, 607 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual, 150 A, 3.2 V, 780 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, Common Collector, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 25 A, 1.7 V, 105 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 250 A, 1.6 V, 870 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 1 kA, 1.85 V, 6.25 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Module

IGBT Module