Модули IGBT MULTICOMP PRO MPIM1000H117TG5
IGBT Module, Half Bridge, 1 kA, 1.85 V, 6.25 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerMULTICOMP PRO
- Manufacturer Part NoMPIM1000H117TG5
- Order Code3579391
54 990 руб.
54 990 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу
Количество
Итого
54 990 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Оставить запрос
Количество:
Цена:
1+
54 990 ₽
Обзор продукта
IGBT Module, Half Bridge, 1 kA, 1.85 V, 6.25 kW, 150 °C, Module — компонент от MULTICOMP PRO (арт. MPIM1000H117TG5) для профессионального применения в промышленных и специализированных системах. Категория: Модули IGBT. Области применения: промышленная автоматика, приборостроение, специализированное оборудование. Технические характеристики: IGBT Configuration: Half Bridge; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 1kA; ток коллектора: 1kA; Collector Emitter Saturation Voltage: 1.85V; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.85V; Power Dissipation Pd: 6.25kW; рассеиваемая мощность: 6.25kW. Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра Delasia Electro.
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Transistor PolarityDual N Channel
- DC Collector Current1kA
- Continuous Collector Current1kA
- Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
- Power Dissipation Pd6.25kW
- Power Dissipation6.25kW
- Operating Temperature Max150°C
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationSolder
- No. of Pins12Pins
- Collector Emitter Voltage Max1.7kV
- IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised