INFINEON, FF75R12RT4HOSA1

IGBT Module, Dual, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF75R12RT4HOSA1
  • Order Code2726151

12 630 руб.

12 630 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 12 630 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

12 630 

5+

11 939 

10+

11 246 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:395W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityN Channel
  • IGBT ConfigurationDual
  • Continuous Collector Current75A
  • DC Collector Current75A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
  • Power Dissipation Pd395W
  • Power Dissipation395W
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module