INFINEON, FF900R12IP4BOSA2

IGBT Module, Dual, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF900R12IP4BOSA2
  • Order Code2726153

59 406 руб.

178 218 руб. всего

Минимальный заказ от 3 штук

Оставить запрос

→ 3 шт. на сумму 178 218 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

3+

59 406 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:900A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:5.1kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transist

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current900A
  • Continuous Collector Current900A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Power Dissipation Pd5.1kW
  • Power Dissipation5.1kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangePrimePACK 2
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 150 °C, Module