INFINEON, FF650R17IE4BOSA1
IGBT Module, Dual, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF650R17IE4BOSA1
- Order Code2726150
58 155 руб.
174 465 руб. всего
Минимальный заказ от 3 штук
Оставить запрос
→ 3 шт. на сумму 174 465 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
3+
58 155 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:930A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:4.15kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transisto
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current930A
- Continuous Collector Current930A
- Collector Emitter Saturation Voltage2V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
- Power Dissipation Pd4.15kW
- Power Dissipation4.15kW
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.7kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product RangePrimePACK 2
- SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)