INFINEON, FF650R17IE4BOSA1

IGBT Module, Dual, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF650R17IE4BOSA1
  • Order Code2726150

58 155 руб.

174 465 руб. всего

Минимальный заказ от 3 штук

Оставить запрос

→ 3 шт. на сумму 174 465 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

3+

58 155 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:930A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:4.15kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transisto

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current930A
  • Continuous Collector Current930A
  • Collector Emitter Saturation Voltage2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
  • Power Dissipation Pd4.15kW
  • Power Dissipation4.15kW
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangePrimePACK 2
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module