INFINEON, FF650R17IE4DB2BOSA1
IGBT Module, Dual, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF650R17IE4DB2BOSA1
- Order Code1833598
69 030 руб.
69 030 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 69 030 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
69 030 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:650A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:4.15kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transist
Техническая спецификация
- Transistor PolarityN Channel
- IGBT ConfigurationDual
- Continuous Collector Current930A
- DC Collector Current650A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
- Collector Emitter Saturation Voltage2V
- Power Dissipation4.15kW
- Power Dissipation Pd4.15kW
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationTab
- No. of Pins10Pins
- Collector Emitter Voltage Max1.7kV
- IGBT TechnologyIGBT 4
- Transistor MountingPanel
- Product RangePrimePACK 2 Series
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)