INFINEON, FF600R17ME4BOSA1

IGBT Module, Dual, 950 A, 1.95 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 950 A, 1.95 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF600R17ME4BOSA1
  • Order Code2726149

49 095 руб.

49 095 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 49 095 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

49 095 

5+

47 517 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:950A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transistor

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current950A
  • Continuous Collector Current950A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
  • Power Dissipation Pd-
  • Power Dissipation-
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEconoDUAL 3
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 950 A, 1.95 V, 150 °C, Module