INFINEON, FF150R12RT4HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF150R12RT4HOSA1
- Order Code2726121
15 944 руб.
15 944 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 15 944 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
15 944 ₽
5+
14 779 ₽
10+
13 614 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:790W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transist
Техническая спецификация
- Transistor PolarityN Channel
- IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
- Continuous Collector Current150A
- DC Collector Current150A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
- Power Dissipation790W
- Power Dissipation Pd790W
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)