INFINEON, FF150R12RT4HOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF150R12RT4HOSA1
  • Order Code2726121

15 944 руб.

15 944 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 15 944 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

15 944 

5+

14 779 

10+

13 614 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:790W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transist

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityN Channel
  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current150A
  • DC Collector Current150A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation790W
  • Power Dissipation Pd790W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module