INFINEON, FF200R12KT4HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF200R12KT4HOSA1
- Order Code2377249
11 487 руб.
11 487 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 11 487 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
11 487 ₽
5+
10 842 ₽
10+
10 196 ₽
50+
9 992 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:320A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:1.1kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Trans
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
- Transistor PolarityDual NPN
- DC Collector Current320A
- Continuous Collector Current320A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
- Power Dissipation Pd1.1kW
- Power Dissipation1.1kW
- Operating Temperature Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- No. of Pins7Pins
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)