INFINEON, FF200R12KT4HOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF200R12KT4HOSA1
  • Order Code2377249

11 487 руб.

11 487 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 11 487 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

11 487 

5+

10 842 

10+

10 196 

50+

9 992 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:320A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:1.1kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Trans

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Transistor PolarityDual NPN
  • DC Collector Current320A
  • Continuous Collector Current320A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Power Dissipation Pd1.1kW
  • Power Dissipation1.1kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • No. of Pins7Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module