INFINEON, DF80R07W1H5FPB11BPSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 40 A, 1.4 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 40 A, 1.4 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoDF80R07W1H5FPB11BPSA1
  • Order Code3625425

7 474 руб.

7 474 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 474 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 474 

5+

6 822 

10+

6 169 

50+

6 046 

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • DC Collector Current40A
  • Continuous Collector Current40A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.4V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.4V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max650V
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
  • IGBT TechnologyTrench Stop 5 H5/ CoolSiC
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEasyPACK TRENCHSTOP
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 40 A, 1.4 V, 150 °C, Module