INFINEON, FF400R17KE4HOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 400 A, 1.95 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 400 A, 1.95 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF400R17KE4HOSA1
  • Order Code2781229

23 275 руб.

232 750 руб. всего

Минимальный заказ от 10 штук

Оставить запрос

→ 10 шт. на сумму 232 750 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

10+

23 275 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:400A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; T

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Transistor PolarityDual N Channel
  • DC Collector Current400A
  • Continuous Collector Current400A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
  • Power Dissipation Pd-
  • Power Dissipation-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeStandard 62mm C
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 400 A, 1.95 V, 150 °C, Module