FF400R17KE4HOSA1 модули igbt INFINEON

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 400 A, 1.95 V, 150 °C, Module

Модули IGBT INFINEON FF400R17KE4HOSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF400R17KE4HOSA1
  • Order Code2781229

34 722 руб.

347 220 руб. всего

Минимальный заказ от 10 штук

Оставить запрос

→ 10 шт. на сумму 347 220 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

10+

34 722 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:400A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; T

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Transistor PolarityDual N Channel
  • DC Collector Current400A
  • Continuous Collector Current400A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
  • Power Dissipation Pd-
  • Power Dissipation-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeStandard 62mm C
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 400 A, 1.95 V, 150 °C, Module
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB