INFINEON, FF450R33T3E3BPSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF450R33T3E3BPSA1
  • Order Code3014247

135 003 руб.

135 003 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 135 003 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

135 003 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:450A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.5V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:3.3kV; Transistor C

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current450A
  • Continuous Collector Current450A
  • Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.5V
  • Power Dissipation Pd-
  • Power Dissipation-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo3.3kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • No. of Pins10Pins
  • Collector Emitter Voltage Max3.3kV
  • IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeXHP 3
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Module