INFINEON, FF450R12KE4HOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF450R12KE4HOSA1
  • Order Code2377257

19 287 руб.

19 287 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 19 287 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

19 287 

5+

18 209 

10+

17 131 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:520A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:2.4kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Trans

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Transistor PolarityDual NPN
  • DC Collector Current520A
  • Continuous Collector Current520A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Power Dissipation Pd2.4kW
  • Power Dissipation2.4kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • No. of Pins7Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module