INFINEON, FF450R12KT4HOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF450R12KT4HOSA1
  • Order Code2377258

18 880 руб.

18 880 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 18 880 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

18 880 

5+

17 650 

10+

16 421 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:580A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:2.4kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Trans

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityDual NPN
  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current580A
  • DC Collector Current580A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation2.4kW
  • Power Dissipation Pd2.4kW
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • No. of Pins7Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module