INFINEON, FF600R12IP4BOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF600R12IP4BOSA1
  • Order Code3514416

34 639 руб.

34 639 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 34 639 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

34 639 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Transistor PolarityDual N Channel
  • DC Collector Current600A
  • Continuous Collector Current600A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Power Dissipation Pd3.35kW
  • Power Dissipation3.35kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins10Pins
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangePrimePACK 2
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.7 V, 3.35 kW, 150 °C, Module