INFINEON, FF600R12ME4B72BOSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF600R12ME4B72BOSA1
  • Order Code3227669

23 180 руб.

23 180 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 23 180 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

23 180 ₽

5+

23 121 ₽

10+

23 060 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current600A
  • DC Collector Current600A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEconoDUAL3
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Module