INFINEON, FF900R17ME7B11BPSA1

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF900R17ME7B11BPSA1
  • Order Code3994947

30 114 руб.

30 114 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 30 114 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

30 114 ₽

5+

30 112 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current900A
  • DC Collector Current900A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Power Dissipation Pd20mW
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max175°C
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 7 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module