STARPOWER, GD800HFY120C3S

IGBT Module, Half Bridge, 1.203 kA, 1.7 V, 3.836 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 1.203 kA, 1.7 V, 3.836 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD800HFY120C3S
  • Order Code3912082

32 184 руб.

32 184 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 32 184 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

32 184 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current1.203kA
  • DC Collector Current1.203kA
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Power Dissipation Pd3.836kW
  • Power Dissipation3.836kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • IGBT TechnologyTrench
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 1.203 kA, 1.7 V, 3.836 kW, 150 °C, Module