STARPOWER, GD100HFX170C1S

IGBT Module, Half Bridge, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD100HFX170C1S
  • Order Code3549217

7 575 руб.

7 575 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 575 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 575 ₽

5+

7 314 ₽

10+

6 753 ₽

50+

6 670 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current168A
  • DC Collector Current168A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
  • Power Dissipation632W
  • Power Dissipation Pd632W
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module