VISHAY, VS-GT200TS065N
IGBT Module, Half Bridge, 193 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerVISHAY
- Manufacturer Part NoVS-GT200TS065N
- Order Code4486849
17 856 руб.
17 856 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 17 856 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
17 856 ₽
5+
15 624 ₽
10+
12 945 ₽
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Continuous Collector Current193A
- Collector Emitter Saturation Voltage-
- Power Dissipation517W
- Operating Temperature Max175°C
- Transistor Case StyleINT-A-PAK
- IGBT TerminationScrew
- Collector Emitter Voltage Max650V
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)