SEMIKRON, SKM200GB125D
IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSEMIKRON
- Manufacturer Part NoSKM200GB125D
- Order Code2423692
43 144 руб.
43 144 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 43 144 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
43 144 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:200A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.3V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tra
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Transistor PolarityDual N Channel
- DC Collector Current200A
- Continuous Collector Current200A
- Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
- Power Dissipation Pd-
- Power Dissipation-
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins7Pins
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-