STARPOWER, GD200HFU120C2S

IGBT Module, Half Bridge, 262 A, 3 V, 1.315 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 262 A, 3 V, 1.315 kW, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD200HFU120C2S
  • Order Code3549237

12 059 руб.

12 059 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 12 059 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

12 059 

Обзор продукта

Available until stocks are exhausted Alternative available

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • DC Collector Current262A
  • Continuous Collector Current262A
  • Collector Emitter Saturation Voltage3V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3V
  • Power Dissipation Pd1.315kW
  • Power Dissipation1.315kW
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Operating Temperature Max125°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • IGBT TechnologyNPT Ultra Fast IGBT
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 262 A, 3 V, 1.315 kW, 125 °C, Module