SEMIKRON, SKM195GB066D

IGBT Module, Half Bridge, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSEMIKRON
  • Manufacturer Part NoSKM195GB066D
  • Order Code2423691

15 717 руб.

15 717 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 15 717 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

15 717 

5+

15 177 

10+

14 015 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:265A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Tran

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityDual N Channel
  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current265A
  • DC Collector Current265A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
  • Power Dissipation Pd-
  • Power Dissipation-
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins7Pins
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max600V
  • IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Module