STARPOWER, GD200HFY120C8S

IGBT Module, Half Bridge, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD200HFY120C8S
  • Order Code3549243

9 030 руб.

9 030 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 9 030 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

9 030 ₽

5+

8 719 ₽

10+

8 052 ₽

50+

7 952 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current309A
  • DC Collector Current309A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Power Dissipation Pd1.006kW
  • Power Dissipation1.006kW
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module