STARPOWER, GD225HFY120C6S

IGBT Module, Half Bridge, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD225HFY120C6S
  • Order Code2986067

14 013 руб.

14 013 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 14 013 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

14 013 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:368A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:1.229kW; Available until stocks are exhausted

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current368A
  • DC Collector Current368A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2V
  • Power Dissipation Pd1.229kW
  • Power Dissipation1.229kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Module