SEMIKRON, SKM400GB125D

IGBT Module, Half Bridge, 400 A, 3.3 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 400 A, 3.3 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSEMIKRON
  • Manufacturer Part NoSKM400GB125D
  • Order Code2423700

64 912 руб.

64 912 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 64 912 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

64 912 

5+

53 727 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:400A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.3V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tra

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityDual N Channel
  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current400A
  • DC Collector Current400A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
  • Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins7Pins
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 400 A, 3.3 V, 150 °C, Module