SEMIKRON, SKM50GB12T4

IGBT Module, Half Bridge, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2

IGBT Module, Half Bridge, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSEMIKRON
  • Manufacturer Part NoSKM50GB12T4
  • Order Code2301737

10 423 руб.

10 423 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 10 423 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

10 423 

5+

10 065 

10+

9 293 

50+

9 179 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:81A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transist

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityDual NPN
  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current81A
  • DC Collector Current81A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleSEMITRANS 2
  • IGBT TerminationStud
  • No. of Pins7Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2