SEMIKRON, SKM50GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSEMIKRON
- Manufacturer Part NoSKM50GB12T4
- Order Code2301737
10 423 руб.
10 423 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 10 423 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
10 423 ₽
5+
10 065 ₽
10+
9 293 ₽
50+
9 179 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:81A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transist
Техническая спецификация
- Transistor PolarityDual NPN
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Continuous Collector Current81A
- DC Collector Current81A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
- Power Dissipation-
- Power Dissipation Pd-
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max175°C
- Operating Temperature Max175°C
- Transistor Case StyleSEMITRANS 2
- IGBT TerminationStud
- No. of Pins7Pins
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-