Модули IGBT STARPOWER GD400HFX65C2S
IGBT Module, Half Bridge, 509 A, 1.45 V, 1.26 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSTARPOWER
- Manufacturer Part NoGD400HFX65C2S
- Order Code3549254
20 504 руб.
20 504 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу
Количество
Итого
20 504 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Оставить запрос
Количество:
Цена:
1+
20 504 ₽
5+
19 801 ₽
10+
18 282 ₽
50+
18 057 ₽
Обзор продукта
IGBT Module, Half Bridge, 509 A, 1.45 V, 1.26 kW, 150 °C, Module — компонент от STARPOWER (арт. GD400HFX65C2S) для профессионального применения в промышленных и специализированных системах. Категория: Модули IGBT. Области применения: промышленная автоматика, приборостроение, специализированное оборудование. Технические характеристики: IGBT Configuration: Half Bridge; ток коллектора: 509A; DC Collector Current: 509A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.45V; Collector Emitter Saturation Voltage: 1.45V; рассеиваемая мощность: 1.26kW; Power Dissipation Pd: 1.26kW; Junction Temperature Tj Max: 150°C. Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра Delasia Electro.
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Continuous Collector Current509A
- DC Collector Current509A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
- Power Dissipation1.26kW
- Power Dissipation Pd1.26kW
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max650V
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
- IGBT TechnologyTrench Field Stop
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised