ONSEMI, NXH200B100H4F2SG

IGBT Module, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH200B100H4F2SG
  • Order Code3929803

13 058 руб.

13 058 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 13 058 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

13 058 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationPIM
  • Continuous Collector Current100A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
  • Power Dissipation93W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationSolder Pin
  • Collector Emitter Voltage Max1kV
  • IGBT TechnologyIGBT 6 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEliteSiC Series
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module