ONSEMI, NXH300B100H4Q2F2SG

IGBT Module, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Module

IGBT Module, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH300B100H4Q2F2SG
  • Order Code3929805

18 786 руб.

18 786 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 18 786 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

18 786 

5+

17 628 

10+

16 469 

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationPIM
  • Continuous Collector Current73A
  • DC Collector Current73A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
  • Power Dissipation194W
  • Power Dissipation Pd194W
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationSolder
  • Collector Emitter Voltage Max1kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1kV
  • IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEliteSiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Module