IXYS SEMICONDUCTOR, MID200-12A4
IGBT Module, Single, 270 A, 2.2 V, 1.13 mW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerIXYS SEMICONDUCTOR
- Manufacturer Part NoMID200-12A4
- Order Code2429722
16 113 руб.
16 113 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 16 113 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
16 113 ₽
5+
15 790 ₽
10+
15 468 ₽
Обзор продукта
DC Collector Current:270A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:1.13kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:7Pin
Техническая спецификация
- DC Collector Current270A
- IGBT ConfigurationSingle
- Continuous Collector Current270A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
- Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
- Power Dissipation1.13mW
- Power Dissipation Pd1.13mW
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Operating Temperature Max150°C
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins7Pins
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)