IXYS SEMICONDUCTOR, MID200-12A4

IGBT Module, Single, 270 A, 2.2 V, 1.13 mW, 150 °C, Module

IGBT Module, Single, 270 A, 2.2 V, 1.13 mW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerIXYS SEMICONDUCTOR
  • Manufacturer Part NoMID200-12A4
  • Order Code2429722

16 113 руб.

16 113 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 16 113 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

16 113 

5+

15 790 

10+

15 468 

Обзор продукта

DC Collector Current:270A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:1.13kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:7Pin

Техническая спецификация

  • DC Collector Current270A
  • IGBT ConfigurationSingle
  • Continuous Collector Current270A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
  • Power Dissipation1.13mW
  • Power Dissipation Pd1.13mW
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins7Pins
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)

Оставить запрос

IGBT Module, Single, 270 A, 2.2 V, 1.13 mW, 150 °C, Module