IXYS SEMICONDUCTOR, MID75-12A3

IGBT Module, Single, 90 A, 2.2 V, 190 W, 125 °C, Y4-M5

IGBT Module, Single, 90 A, 2.2 V, 190 W, 125 °C, Y4-M5

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerIXYS SEMICONDUCTOR
  • Manufacturer Part NoMID75-12A3
  • Order Code2674829

6 857 руб.

6 857 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 6 857 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

6 857 

5+

6 494 

10+

6 129 

50+

6 007 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:90A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:190W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tran

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationSingle
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current90A
  • Continuous Collector Current90A
  • Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
  • Power Dissipation Pd190W
  • Power Dissipation190W
  • Operating Temperature Max125°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Transistor Case StyleY4-M5
  • IGBT TerminationStud
  • No. of Pins5Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)

Оставить запрос

IGBT Module, Single, 90 A, 2.2 V, 190 W, 125 °C, Y4-M5