IXYS SEMICONDUCTOR, MID75-12A3
IGBT Module, Single, 90 A, 2.2 V, 190 W, 125 °C, Y4-M5
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerIXYS SEMICONDUCTOR
- Manufacturer Part NoMID75-12A3
- Order Code2674829
6 857 руб.
6 857 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 6 857 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
6 857 ₽
5+
6 494 ₽
10+
6 129 ₽
50+
6 007 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:90A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:190W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tran
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationSingle
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current90A
- Continuous Collector Current90A
- Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
- Power Dissipation Pd190W
- Power Dissipation190W
- Operating Temperature Max125°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Transistor Case StyleY4-M5
- IGBT TerminationStud
- No. of Pins5Pins
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)