F415MR12W2M1B76BOMA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) INFINEON F415MR12W2M1B76BOMA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoF415MR12W2M1B76BOMA1
  • Order Code3773230

33 887 руб.

33 887 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 33 887 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

33 887 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationFourPack
  • Channel TypeQuad N Channel
  • Continuous Drain Current Id75A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.015ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins34Pins
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product RangeEasyPACK CoolSiC Trench
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, Module