FF11MR12W1M1B70BPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF11MR12W1M1B70BPSA1
- Order Code3755139
27 329 руб.
27 329 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 27 329 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
27 329 ₽
Техническая спецификация
- Continuous Drain Current Id100A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.0113ohm
- No. of Pins18Pins
- Rds(on) Test Voltage15V
- Gate Source Threshold Voltage Max5.55V
- Power Dissipation-
- Operating Temperature Max150°C
- Product RangeCoolSiC Trench Series