FF2600UXTR33T2M1BPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) INFINEON FF2600UXTR33T2M1BPSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF2600UXTR33T2M1BPSA1
  • Order Code4574879

685 247 руб.

685 247 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 685 247 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

При заказе более 1 шт., цены обсуждаются в индивидуальном порядке

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id720A
  • Drain Source Voltage Vds3.3kV
  • Drain Source On State Resistance0.0031ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins15Pins
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.55V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeXHP 2 Series
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Module