FF4MR12W2M1HB11BPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) INFINEON FF4MR12W2M1HB11BPSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF4MR12W2M1HB11BPSA1
  • Order Code4313262

33 586 руб.

33 586 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 33 586 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

33 586 ₽

5+

29 387 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id170A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.004ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins36Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeEasyDUAL 2B CoolSiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module