FF5MR20KM1HHPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 195 A, 2 kV, 0.008 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) INFINEON FF5MR20KM1HHPSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF5MR20KM1HHPSA1
  • Order Code4531825

73 736 руб.

73 736 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 73 736 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

73 736 

5+

72 262 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id195A
  • Drain Source Voltage Vds2kV
  • Drain Source On State Resistance0.008ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins7Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range62 mm C Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 195 A, 2 kV, 0.008 ohm, Module
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB