FF6MR20W2M1HB70BPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 160 A, 2 kV, 0.0081 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF6MR20W2M1HB70BPSA1
- Order Code4574243
59 650 руб.
59 650 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 59 650 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
59 650 ₽
5+
56 736 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id160A
- Drain Source Voltage Vds2kV
- Drain Source On State Resistance0.0081ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins28Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
- Power Dissipation20mW
- Operating Temperature Max175°C
- Product RangeEasyPACK 2B CoolSiC Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)