MDI145-12A3 модули igbt IXYS SEMICONDUCTOR

IGBT Module, Single, 160 A, 2.2 V, 700 W, 125 °C, Y4-M5

Модули IGBT IXYS SEMICONDUCTOR MDI145-12A3 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    IXYS SEMICONDUCTOR
  • Manufacturer Part NoMDI145-12A3
  • Order Code2674828

12 112 руб.

12 112 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 12 112 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

12 112 

5+

11 532 

10+

10 953 

50+

10 733 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:160A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:700W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tr

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationSingle
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current160A
  • Continuous Collector Current160A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
  • Power Dissipation700W
  • Power Dissipation Pd700W
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Operating Temperature Max125°C
  • Transistor Case StyleY4-M5
  • IGBT TerminationStud
  • No. of Pins5Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)

Оставить запрос

IGBT Module, Single, 160 A, 2.2 V, 700 W, 125 °C, Y4-M5
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB