IXFN55N120SK mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) LITTELFUSE

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 54 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, SOT-227B

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) LITTELFUSE IXFN55N120SK фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    LITTELFUSE
  • Manufacturer Part NoIXFN55N120SK
  • Order Code4353514

7 443 руб.

7 443 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 443 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 443 ₽

5+

7 427 ₽

10+

7 412 ₽

50+

7 396 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id54A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.042ohm
  • Transistor Case StyleSOT-227B
  • No. of Pins4Pins
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 54 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, SOT-227B