Радиочастотные FET-транзисторы NXP AFT31150NR5
RF FET Transistor, LDMOS, 65 VDC, 741 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, OM-780
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerNXP
- Manufacturer Part NoAFT31150NR5
- Order Code2805100
44 659 руб.
44 659 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу
Количество
Итого
44 659 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Оставить запрос
Количество:
Цена:
1+
44 659 ₽
5+
40 952 ₽
Обзор продукта
RF FET Transistor, LDMOS, 65 VDC, 741 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, OM-780 — профессиональный разъём от NXP (арт. AFT31150NR5) для надёжных электрических соединений в промышленной, аэрокосмической и военной технике. Назначение: обеспечение стабильного контакта в ответственных системах. Области применения: автоматика, системы управления, военное и аэрокосмическое оборудование. Технические характеристики: -; ; ; ; ; компоновка ; корпус из ; покрытие ; материал контактов с покрытием ; поворот вставки ; класс . Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра.
Техническая спецификация
- Drain Source Voltage Vds65VDC
- Continuous Drain Current Id-
- Power Dissipation741W
- Operating Frequency Min2.7GHz
- Operating Frequency Max3.1GHz
- Transistor Case StyleOM-780
- No. of Pins2Pins
- Operating Temperature Max150°C
- Channel TypeN Channel
- Transistor MountingFlange
- Product Range-
- MSLMSL 3 - 168 hours
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)