Радиочастотные FET-транзисторы NXP AFV10700HSR5
RF FET Transistor, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780S

Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerNXP
- Manufacturer Part NoAFV10700HSR5
- Order Code2805098
93 875 руб.
93 875 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу
Количество
Итого
93 875 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Оставить запрос
Количество:
Цена:
1+
93 875 ₽
Обзор продукта
RF FET Transistor, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780S — профессиональный разъём от NXP (арт. AFV10700HSR5) для надёжных электрических соединений в промышленной, аэрокосмической и военной технике. Назначение: обеспечение стабильного контакта в ответственных системах. Области применения: автоматика, системы управления, военное и аэрокосмическое оборудование. Технические характеристики: -; ; ; ; ; компоновка ; корпус из ; покрытие ; материал контактов с покрытием ; поворот вставки ; класс . Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра.
Техническая спецификация
- Drain Source Voltage Vds105VDC
- Continuous Drain Current Id-
- Power Dissipation526W
- Operating Frequency Min1.03GHz
- Operating Frequency Max1.09GHz
- Transistor Case StyleNI-780S
- No. of Pins4Pins
- Operating Temperature Max150°C
- Channel TypeN Channel
- Transistor MountingFlange
- Product Range-
- MSLMSL 3 - 168 hours
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)