Радиочастотные FET-транзисторы NXP AFV10700HSR5

RF FET Transistor, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780S

Радиочастотные FET-транзисторы NXP AFV10700HSR5 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    NXP
  • Manufacturer Part NoAFV10700HSR5
  • Order Code2805098

93 875 руб.

93 875 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу

Количество

Итого

93 875 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Оставить запрос

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

93 875 ₽

Обзор продукта

RF FET Transistor, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780S — профессиональный разъём от NXP (арт. AFV10700HSR5) для надёжных электрических соединений в промышленной, аэрокосмической и военной технике. Назначение: обеспечение стабильного контакта в ответственных системах. Области применения: автоматика, системы управления, военное и аэрокосмическое оборудование. Технические характеристики: -; ; ; ; ; компоновка ; корпус из ; покрытие ; материал контактов с покрытием ; поворот вставки ; класс . Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра.

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds105VDC
  • Continuous Drain Current Id-
  • Power Dissipation526W
  • Operating Frequency Min1.03GHz
  • Operating Frequency Max1.09GHz
  • Transistor Case StyleNI-780S
  • No. of Pins4Pins
  • Operating Temperature Max150°C
  • Channel TypeN Channel
  • Transistor MountingFlange
  • Product Range-
  • MSLMSL 3 - 168 hours
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить заявку

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB