MRF085HR5 радиочастотные fet-транзисторы NXP
RF FET Transistor, LDMOS, 133 VDC, 235 W, 1.8 MHz, 1.215 GHz, NI-650H
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerNXP
- Manufacturer Part NoMRF085HR5
- Order Code2805101
26 447 руб.
26 447 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 26 447 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
26 447 ₽
5+
25 186 ₽
10+
23 923 ₽
Обзор продукта
Drain Source Voltage Vds:133VDC; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:235W; Operating Frequency Min:1.8MHz; Operating Frequency Max:1.215GHz; RF Transistor Case:NI
Техническая спецификация
- Drain Source Voltage Vds133VDC
- Continuous Drain Current Id-
- Power Dissipation235W
- Operating Frequency Min1.8MHz
- Operating Frequency Max1.215GHz
- Transistor Case StyleNI-650H
- No. of Pins4Pins
- Operating Temperature Max150°C
- Channel TypeN Channel
- Transistor MountingFlange
- Product Range-
- MSLMSL 3 - 168 hours
- SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)