MRF085HR5 радиочастотные fet-транзисторы NXP

RF FET Transistor, LDMOS, 133 VDC, 235 W, 1.8 MHz, 1.215 GHz, NI-650H

Радиочастотные FET-транзисторы NXP MRF085HR5 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    NXP
  • Manufacturer Part NoMRF085HR5
  • Order Code2805101

26 447 руб.

26 447 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 26 447 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

26 447 

5+

25 186 

10+

23 923 

Обзор продукта

Drain Source Voltage Vds:133VDC; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:235W; Operating Frequency Min:1.8MHz; Operating Frequency Max:1.215GHz; RF Transistor Case:NI

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds133VDC
  • Continuous Drain Current Id-
  • Power Dissipation235W
  • Operating Frequency Min1.8MHz
  • Operating Frequency Max1.215GHz
  • Transistor Case StyleNI-650H
  • No. of Pins4Pins
  • Operating Temperature Max150°C
  • Channel TypeN Channel
  • Transistor MountingFlange
  • Product Range-
  • MSLMSL 3 - 168 hours
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)

Оставить запрос

RF FET Transistor, LDMOS, 133 VDC, 235 W, 1.8 MHz, 1.215 GHz, NI-650H
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB