Радиочастотные FET-транзисторы NXP MRF6V2150NR1

RF FET Transistor, 110 V, 450 MHz, 10 MHz, TO-270WB

Радиочастотные FET-транзисторы NXP MRF6V2150NR1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    NXP
  • Manufacturer Part NoMRF6V2150NR1
  • Order Code2890604

13 893 руб.

13 893 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу

Количество

Итого

13 893 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Оставить запрос

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

13 893 ₽

5+

13 683 ₽

10+

12 819 ₽

50+

11 902 ₽

Обзор продукта

RF FET Transistor, 110 V, 450 MHz, 10 MHz, TO-270WB — профессиональный разъём от NXP (арт. MRF6V2150NR1) для надёжных электрических соединений в промышленной, аэрокосмической и военной технике. Назначение: обеспечение стабильного контакта в ответственных системах. Области применения: автоматика, системы управления, военное и аэрокосмическое оборудование. Технические характеристики: MRF6V2150N; ; ; ; ; компоновка ; корпус из ; покрытие ; материал контактов с покрытием ; поворот вставки ; класс . Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра.

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds110V
  • Operating Frequency Min450MHz
  • Operating Frequency Max10MHz
  • No. of Pins4Pins
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product RangeMRF6V2150N

Оставить заявку

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB