NXH008T120M3F2PTHG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH008T120M3F2PTHG
- Order Code4317991
24 544 руб.
24 544 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 24 544 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
24 544 ₽
5+
23 221 ₽
10+
21 895 ₽
50+
21 374 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id129A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.0115ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins29Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
- Power Dissipation371W
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)