NXH011F120M3F2PTHG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH011F120M3F2PTHG
- Order Code4472918
26 810 руб.
26 810 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 26 810 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
26 810 ₽
5+
24 891 ₽
10+
22 971 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id105A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.016ohm
- Transistor Case StylePIM
- No. of Pins34Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
- Power Dissipation244W
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)