NXH40B120MNQ0SNG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH40B120MNQ0SNG
- Order Code3929810
17 308 руб.
17 308 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 17 308 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
17 308 ₽
5+
16 326 ₽
10+
15 344 ₽
50+
14 363 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationDualPack
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id38A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.04ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins22Pins
- Rds(on) Test Voltage20V
- Gate Source Threshold Voltage Max-
- Power Dissipation118W
- Operating Temperature Max175°C
- Product RangeEliteSiC Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)